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ALD공정
원자층 증착(Atomic Layer Deposition)을 통한 정밀한 박막 제조 기술에 대해 소개합니다
ALD 공정 개요
ALD공정의 기본원리는 자기제한적 표면반응을 기반으로 하여 복수의 전구체(precursor)를 순차적으로 공급하는 방식입니다. 이를 통해 원자층 단위의 정밀한 박막 증착이 가능하며, 이는 당사가 추구하는 고전도 저저항 소재 및 제품 개발에 필수적인 기술적 기반을 제공합니다.
ALD 공정 장점
원자층 수준의 정밀도
사이클횟수로 두께를 옹스트롬(Ångström) 단위까지 정밀제어 가능
탁월한 균일성
대면적 기판에서도 우수한 두께 균일성 구현
저온공정
100~400°C 의 상대적 저온에서 고품질 박막제조 가능
3D구조 적합성
높은 종횡비의 복잡한 3차원 구조에도 균일한 증착 실현
조성제어
다중 전구체 사용으로 원하는 화학적 조성의 정밀 제어
재현성
높은 공정재현성과 수율 확보